1、磁珠的等效电路图如何解释?

磁珠等效电路图如下：

　　其中L0为磁珠的等效电感、R0是磁珠的等效电阻，包括直流电阻和交流电阻两部分，其交流电阻随着频率变化而变化，C0是磁珠的杂散电容。由此可知，磁珠阻抗包括电阻R和电抗X两部分。

　　在甚低频时(低于1MHz)，磁珠交流电阻很小，阻抗由电感的感抗和直流电阻并联而成，由于频率低，感抗wL0很小，因而甚低频时磁珠阻抗很小;

　　在中低频时(1MHz~几十MHz，不同铁氧体材料不同)，磁珠的交流损耗逐渐增大而超过其直流损耗，但总体而言R0依然较小，而随着频率增大，感抗wL0逐渐增大，成为影响磁珠阻抗的主要部分;

　　在中高频时(几十MHz~几百MHz，不同铁氧体材料不同)，磁珠交流损耗迅速增大，R成为影响磁珠阻抗的主要部分，与此同时，容抗1/wC0减小，与继续增大的感抗wL0相互抵消，使电抗X增大速度减缓并开始下降，最终在某个频率(自谐频率)下降为0;

　　在甚高频时(大于几百MHz)，磁珠交流损耗逐渐减小，因而总阻抗减小。

　　2、如何根据应用来选择阻抗大小?

　　对于EMI应用，选择的磁珠阻抗应为信号线负载阻抗的2～3倍。为保证信号的完整性，信号对应的阻抗应该根据抑制EMI的需要而尽可能小。

　　3、铁氧体可以抑制传导干扰吗?辐射干扰吗?

　　铁氧体可以抑制传导干扰以及辐射干扰。传导干扰被限制在发生电路或导体中，在接近干扰源处串联铁氧体产品可以有效地抑制噪声。对于辐射干扰，则将铁氧体产品放置在IC或容易产生辐射噪声的回路上，铁氧体可以将不需要频段的能量通过发热的方式耗散掉。